Как разогнать оперативную память ddr4?

Разгон оперативной памяти DDR4 на AMD Ryzen и Intel Core

На github.com кто-то заморочился и сделал полноценный гайд по разгону оперативной памяти DDR4 на Intel и AMD Ryzen. А в качестве базовой информации в дополнении к нашему видео он будет полезен каждому. 

Делимся переводом, приятного прочтения.

• 1. Подготовка
• 2. Ожидания и ограничения
• 2.1 Материнская плата
• 2.2 Микросхемы
• 2.2.1. Отчёты Thaiphoon Burner
• 2.2.2. О рангах и объёме
• 2.2.3. Масштабирование напряжения
• 2.2.4. Ожидаемая максимальная частота
• 2.2.5. Биннинг
• 2.2.6 Максимальное рекомендованное повседневное напряжение
• 2.2.7 Ранговость
• 2.3 Встроенный контроллер памяти (IMC)
• 2.3.1 Intel – LGA1151
• 2.3.2. AMD – AM4
• 3. Разгон
• 3.1.Нахождение максимальной частоты
• 3.2. Пробуем повысить частоты
• 3.3. Оптимизация таймингов
• 3.4. Дополнительные советы
• 3.4.1 Intel
• 3.4.2. AMD

Подготовка

• Проверьте, что ваши планки находятся в рекомендуемых слотах DIMM (обычно 2 и 4).
• Перед разгоном памяти убедитесь, что ваш процессор полностью исправен, так как нестабильный процессор может привести к ошибкам памяти. При повышении частоты с жесткими таймингами, ваш процессор может начать работать нестабильно.
• Убедитесь, что используется актуальная версия UEFI.
• С помощью утилиты Thaiphoon определите тип микросхем вашей оперативной памяти. От него зависит, на какую частоту и тайминги можно рассчитывать.
• Протестируйте память с помощью MemTestHelper или аналогичного тестера. Утилита Karhu RAM Test (платная) также неплоха. Я бы не советовал тест памяти AIDA64 и Memtest64, поскольку обе они не очень хорошо умеют находить ошибки памяти.
• TM5 с экстремальными настройками от anta777, кажется, работает быстрее, чем Karhu RAM Test при поиске ошибок. Один пользователь тщательно тестировал эту утилиту, и ни одна ошибка не ускользнула от него.
• Обязательно загрузите конфиг. При успешной загрузке должно быть написано «Customize:Extreme1@anta777».
• Благодарность: u/nucl3arlion
• Утилиты для просмотра таймингов в Windows:
• Intel: Asrock Timing Configurator v4.0.4 (работает с большинством материнских плат, за исключением EVGA).
• AMD:
• Ryzen 1000/2000: Ryzen Timing Checker.
• Ryzen 3000: Ryzen Master.
• Бенчмарки (тесты производительности):
• AIDA64 – бесплатная 30-дневная пробная версия. Мы будем использовать тесты кэша и памяти (находятся в разделе Tools), чтобы посмотреть, как работает наша память. Щёлкнув правой кнопкой по кнопке запуска теста, можно выбрать запуск только тестов памяти, пропустив тесты кэша.
• MaxxMEM2 – бесплатная альтернатива AIDA64, но тесты пропускной способности выглядят намного слабее, поэтому полностью сравнивать с AIDA64 не стоит.
• Super Pi Mod v1.5 XS – еще одна чувствительная к памяти бенчмарк-утилита, но я не использовал её так часто, как AIDA64. 1-8M значений [после запятой при вычислении числа π] будет вполне достаточно для быстрого теста. Вам лишь нужно посмотреть на последнее (общее) время, которое чем меньше, тем лучше.
• HWBOT x265 Benchmark – говорят, эта утилита также хорошо тестирует память, но я сам лично ей не пользовался.

Ожидания и ограничения

В этом разделе рассматриваются 3 компонента, влияющие на процесс разгона: микросхемы (чипы памяти), материнская плата и встроенный контроллер памяти (IMC).

МАТЕРИНСКАЯ ПЛАТА

• Самые высокие частоты достигаются на материнских платах с 2-мя слотами DIMM.
• На материнских платах с 4-мя слотами DIMM максимальная частота памяти зависит от количества установленных планок.
• На материнских платах, работающих с цепочечной (daisy-chain) микроархитектурой RAM, лучше использовать 2 планки памяти. Использование 4-х планок может существенно снизить максимальную частоту памяти.
• Платы же с Т-образной топологией, напротив, наилучшие показатели при разгоне обеспечат с 4-мя планками. А использование 2-х планок не столь существенно повлияет на максимальную частоту памяти, как использование 4-х на daisy-chain (?).
• Большинство поставщиков не указывают используемую топологию, но её можно «вычислить» на основе прилагаемого к материнской плате списка совместимых устройств (QVL – Qualified Vendor List). Например, Z390 Aorus Master, вероятно, использует Т-топологию, поскольку наибольшая частота демонстрируется с использованием 4-х модулей DIMM. Если же максимальная частота демонстрируется на 2-х модулях DIMM, то, вероятно, используется топология daisy-chain.
• По словам известного оверклокера buildzoid’а, разница между Т-образной и цепочечной топологиями проявляет себя только на частотах выше 4ГГц. То есть, если у вас Ryzen 3000, то топология значения не имеет, поскольку 3,8ГГц – как правило, максимум для частоты памяти при соотношении MCLK:FCLK 1:1.

Замечено также, что дешёвые материнские платы могут не разогнаться, возможно по причине низкого качества печатной платы и недостаточного количества слоёв (?).

МИКРОСХЕМЫ (ЧИПЫ ПАМЯТИ)

Отчёты Thaiphoon Burner

• Hynix CJR 8 Гб (одноранговая)

• Micron Revision E 8 Гб (одноранговая)

По общему мнению, свои отбракованные низкосортные чипы Micron реализует под брендом SpecTek.  Многие стали называть этот чип “Micron E-die” или даже просто “E-die”. Если в первом случае ещё куда ни шло, то во втором уже возникает путаница, поскольку подобная маркировка («буква-die») используется у микросхем Samsung, например – “4 Гб Samsung E-die”. Под “E-die” обычно подразумевается чип Samsung, поэтому стоит уточнять производителя, говоря о чипах Micron Rev. E как об “E-die”.

• Samsung B-die 8 Гб (двуранговая)

О рангах и объёме

• Одноранговые модули обычно позволяют добиться более высоких частот, однако двуранговые модули, при той же частоте и таймингах, могут оказаться более производительными благодаря чередованию рангов.
• Объем важен при определении того, насколько можно разогнать память. К примеру, AFR 4 Гб и AFR 8 Гб разгоняться будут по-разному, несмотря на то, что оба они AFR.

Масштабирование напряжения

Масштабирование напряжения попросту означает, как чип реагирует на изменение напряжения. Во многих микросхемах tCL масштабируется с напряжением, что означает, что увеличение напряжения может позволить вам снизить tCL.

В то время как tRCD и tRP на большинстве микросхем, как правило, не масштабируются с напряжением, а это означает, что независимо от того, какое напряжение вы подаёте, эти тайминги не меняются. Насколько я знаю, tCL, tRCD, tRP и, возможно, tRFC могут (либо не могут) видеть масштабирование напряжения.

Аналогичным образом, если тайминг масштабируется с напряжением, это означает, что вы можете увеличить напряжение, чтобы соответствующий тайминг работал на более высокой частоте.

Масштабирование напряжения CL11

На графике видно, что tCL у CJR 8 Гб масштабируется с напряжением почти ровно до 2533 МГц. У B-die мы видим идеально-ровное масштабирование tCL с напряжением.

Некоторые старые чипы Micron (до Rev. E) известны своим отрицательным масштабированием с напряжением. То есть при повышении напряжения (как правило, выше 1,35 В) они становятся нестабильными на тех же таймингах и частоте. Ниже приведена таблица некоторых популярных чипов, показывающая, какие тайминги в них масштабируются с напряжением, а какие нет:

Тайминги, которые не масштабируются с напряжением, как правило необходимо увеличивать с частотой. Масштабирование напряжения tRFC у B-die.

Примечание: Шкала tRFC в тактах (тиках), не во времени (нс).

Ожидаемая максимальная частота

Ниже приведена таблица предполагаемых максимальных частот некоторых популярных чипов:

* – результаты тестирования CJR у меня получились несколько противоречивыми. Я тестировал 3 одинаковых планки RipJaws V 3600 CL19 8 Гб. Одна из них работала на частоте 3600 МГц, другая – на 3800 МГц, а последняя смогла работать на 4000 МГц. Тестирование проводилось на CL16 с 1,45 В.

Биннинг

Суть биннинга заключается в разделении производителем полученной на выходе продукции «по сортам», качеству. Как правило, сортировка производится по демонстрируемой при тестировании частоте.

Чипы, показывающие одну частоту, производитель отделяет в одну «коробку», другую частоту – в другую «коробку». Отсюда и название процедуры – “binning” (bin – ящик, коробка).

Источник: https://zen.yandex.ru/media/i2hard/razgon-operativnoi-pamiati-ddr4-na-amd-ryzen-i-intel-core-5dc85a2040e93148148a09e8

Разгон оперативной памяти DDR4: инструкция и процедура разгона

Оперативная память — это временное хранилище данных, которые подвергаются обмену между жестким диском и центральным процессором. Также ее можно использовать как резерв объема памяти для интегрированных графических адаптеров. Это одна из главных составляющих в системе, без которой не запустится компьютер.

Ее показатели могут многое поведать о возможностях оперативной памяти. Например, чем выше цифра в поколении, тем выше будут номинальные частоты. Тайминги задержки показывают, сколько времени понадобится оперативной памяти для обработки информации. Частота отвечает за быстродействие системы. Объем также имеет большое значение, так как чем он больше, тем больше данных одновременно сможет обработать ОЗУ.

Советы специалистов

Графический ускоритель NVidia NVS 4200M: характеристики и назначение

При установке оперативной памяти нужно учитывать несколько простых истин. Во-первых, не весь объем будет доступен в пользовании, так как полтора-два гигабайта занимает операционная система. Во-вторых, при запуске особенно требовательных игр стоит закрыть браузер и прочие «прожорливые» программы и приложения.

В-третьих, ее объем никак не сказывается на размере жесткого диска, потому что жесткий диск — это постоянное хранилище, а оперативная память — это временное хранилище с последующей обработкой данных.

Современные планки оперативной памяти обладают автоматической настройкой собственного профиля, что хорошо экономит время при эксплуатации.

Что это такое и для чего необходимо

Прежде чем начинать разгон оперативной памяти DDR4, нужно прояснить некоторые нюансы. ОП — это то устройство, которое меньше всего подвергается износу, в отличие от остальных комплектующих в системе. Однако, устроив разгон оперативной памяти DDR4, можно значительно уменьшить ее срок функционирования.

При таких процедурах важно учитывать, что выставлять настройки придется не единожды, так как экспериментировать придется с таймингами, частотами и напряжением. Повышая частоту, можно увеличить задержки тайминга, но тогда скорость работы упадет, потому что именно минимальный показатель отвечает за быстродействие оперативной памяти.

Многофункциональное устройство HP LaserJet 3055. Характеристики и порядок настройки

Есть три составляющие, которые влияют на разгон оперативной памяти DDR4 — это формат оперативной памяти и ее параметры, разновидность процессора и БИОС материнской платы. Также нужно учитывать профиль ОЗУ, который маркируется как ХМР. Данный профиль указывает на разгонный потенциал оперативной памяти. Существует немало процессоров нового поколения, которые способны раскрыть потенциал ОЗУ, используя встроенный контроллер памяти.

Разгоняют оперативную память для того, чтобы максимально увеличить производительность всей системы, ведь чем выше частоты у данного комплектующего, тем быстрее система сможет отвечать на запросы пользователя. В основном такими процедурами пользуются геймеры, так как в играх требуется большой объем памяти и высокие частоты.

При разгоне всегда повышается вольтаж, поэтому производители оперативной памяти не рекомендуют повышать данный показатель больше чем на полтора вольта. Однако некоторые модули способны выдержать входное напряжение до 1,65 вольта.

Комплектация Kingston HyperX Fury

Комплектация планок оперативной памяти от Kingston довольно скромная и не содержит ничего лишнего. Пластиковый кейс надежно защищает модули от внешних повреждений, которые могут возникнуть при транспортировке. Открыв коробку, можно увидеть помимо планок инструкцию по эксплуатации и наклейку от производителя. В качестве приятного бонуса компания предоставляет пожизненную гарантию на ремонт оперативной памяти, но только в случае покупки в комплекте.

Для лучшего охлаждения модули оснащены защитным корпусом с радиатором. Охлаждение при разгоне играет важную роль, так как повышается энергопотребление и растет тепловыделение.

На задней стороне есть наклейка с данными HX424C15K432, которая расшифровывается следующим образом:

• HX — модель оперативной памяти HyperX;
• 4 — принадлежность к стандарту DDR4;
• 24 — определение рабочей частоты 2400 мегагерц;
• C — данная маркировка указывает на то, что оперативная память относится к настольному типу компьютеров;
• 15 — такова задержка чтения данного модуля;
• F — маркировка модели Fury;
• B — обозначение цветового сегмента планки;
• K4 — комплектация, в данном случае — четыре штуки;
• 32 — общий объем оперативной памяти.

Механическая мышь — история и устройство

Для того чтобы упростить процедуру установки модулей оперативной памяти в материнскую плату, производитель обеспечил возможность автоматического подключения. Данный параметр особенно важен в том случае, если нет возможности самостоятельно настроить показатели работы оперативной памяти.

Описание для тестирования Kingston HyperX Fury

Первый пример разгона оперативной памяти DDR4 Kingston HyperX Fury тестируется в комплекте планок в размере четырех штук, а их общий номинал составляет 64 гигабайта. Для тестирования используется игровая материнская плата ASUS ROG RAMPAGE V EDITION 10.

Итак, четыре планки по 16 гигабайт каждая обладают специальным профилем XMP для разгона оперативной памяти DDR4 Kingston HyperX. Работают эти планки с частотой до 2133 мегагерц, а задержка составляет 14-14-14-35-2Т. Несмотря на такие мощные показатели, входное напряжение составляет всего 1,2 ватта.

Описание процессора и процедура разгона

Процессоры с сокетом 2011 третьей ревизии обладают встроенным контроллером памяти, что не дает раскрыть процессорам данного поколения весь потенциал оперативной памяти, но это с лихвой компенсируется тем, что они предназначены для работы в четырехканальном режиме.

Начинать разгон оперативной памяти Kingston стоит с программы БИОСа. Для начала стоит обратить внимание на базовый генератор, где предстоит выставить число 125 мегагерц, а входное напряжение должно быть равным 1,475 вольта. Там, во вкладке Extreme Tweaker, есть раздел DRAM Timing Control, где выставляются параметры таймингов — 13-16-16-21-1Т.

После выставления настроек можно проверить в программах, которые предназначены для диагностики системы. Таким образом, удалось обеспечить разгон оперативной памяти DDR4 HyperX Fury до трех гигагерц. Это самый лучший результат. Разгон оперативной памяти DDR4 с 2133 до 3000 мегагерц позволяет системе быстрее функционировать и отвечать на запросы.

DDR4-2133 Corsair Vengeance

Как и в предыдущем варианте, данная оперативная память хорошо функционирует с процессорами «Сокет 2011-3» и АМ4. В комплекте четыре планки по четыре гигабайта, форм-фактор соответствует стандарту DIMM, а временная задержка составляет 13-15-15-28. В стандартном режиме ОЗУ работает с частотами от 1333 до 2133 мегагерц, но с профилем XMP второй версии можно начинать разгон оперативной памяти DDR4 Corsair Vengeance с показателей 2133 или 2400 мегагерц.

Комплектация модулей выглядит внушающей — картонная коробка, внутри которой два пластиковых контейнера, в каждом по два модуля. Такая упаковка надежно защищает не только от ударного урона, но и от статических повреждений.

Внешний вид планок выполнен качественно, особенно что касается системы охлаждения самих модулей. Самостоятельно радиаторы, установленные на планках оперативной памяти, могут охладить разогнанные модули, которые работали несколько часов подряд, до 42 градусов по Цельсию.

Поставщиком чипов для данной оперативной памяти является Hynix — компания, которая поставляет чипы для различных видов комплектующих.

Программа для тестирования ОЗУ

С помощью утилиты AIDA64 можно провести бенчмарк оперативной памяти. Скорость чтения данных составляет 46747 мегабайт в секунду, а скорость записи информации равна 58422 мегабайта в секунду. Не менее важен показатель, который отвечает за копирование данных, — его скорость равна 48813 мегабайта в секунду.

Разгон комплекта

Для начала стоит в БИОСе выставить делитель, который позволит максимально увеличить частоту работы оперативной памяти. Далее необходимо увеличить вольтаж, так как чем выше частота работы, тем больше энергии потребуется оборудованию. Выше показателя в полтора вольта поднимать не рекомендуется, но некоторым пользователям удается поднять данное значение до отметки 1,65 вольта.

По окончанию настроек разгона оперативной памяти DDR4 Corsair показатель увеличивается до трех гигагерц, что можно заметить при тестировании в программах или в играх. В то же время разгон с показателя 2133 до 2400 мегагерц дает всего 1-2 процента прироста в играх.

DDR4 Samsung

Данная оперативная память предоставляется в самом простом варианте, то есть без подсветки и без корпуса с радиатором. Есть три вида оперативной памяти от данного производителя, а отличаются они частотами. Далее будет рассмотрен вариант разгона оперативной памяти DDR4 Samsung с частотой 2400.

Принтер HP LaserJet 1022. Характеристики и порядок настройки

Внешний вид платы указывает на одностороннее расположение чипов памяти. Маркировка на задней стороне показывает пользователю на то, что модуль от Samsung, объем памяти восемь гигабайт, поколение DDR4, номинальная частота работы 2400 мегагерц, единичный ранг строения и последовательный серийный номер. Номер модели также можно увидеть на самой плате. Последняя цифра указывает на то, что планки, выпущенные в данном времени, относятся ко второй ревизии.

Визуально отмечается только шесть металлических слоев, однако производитель не указывает точное количество. В основу микросхем лег 18-нанометровый кристалл компании-производителя.

Описание разгона

Для тестирования представлено две планки по четыре гигабайта, разгон оперативной памяти DDR4 2400 начинается с минимальных частот. Для начала можно запустить программу CPU-Z и посмотреть на номинальную частоту оперативной памяти.

После этого нужно установить планки в свои слоты и запустить систему. Не дожидаясь появления значка операционной системы, нужно нажать определенную клавишу, на каждой материнской она разная, и вызвать БИОС. В разделе оперативной памяти, или DRAM, выставляются оптимальные тайминги, подбирается делитель и повышается вольтаж. В некоторых материнских платах есть уже подготовленные настройки по разгону оперативной памяти.

Когда все значения выставлены, можно перезагрузить компьютер и дождаться полной загрузки. После этого можно зайти в «Диспетчер устройств» или воспользоваться CPU-Z, чтобы убедиться в работоспособности планок и их разгона.

Описание оборудования для разгона ОЗУ Crucial DDR4

Для разгона оперативной памяти Crucial DDR4 используется материнская плата BioStar с сокетом АМ4, форм-фактор которой miniATX. Процессор установлен AMD Ryzen, у которого четыре ядра и восемь потоков. Номинальная частота центрального процессора равна 3700 мегагерц, а кэш третьего уровня доходит до восьми мегабайт.

Для демонстрации прироста понадобится дискретный графический адаптер, в лице которого представлена GeForce GTX 1050Ti. Четыре гигабайта видеопамяти типа GDDR5 обладают 128-битной шиной и 768 CUDA-ядрами.

Блок питания от ZALMAN мощностью 450 ватт обладает бронзовым сертификатом качества международного уровня «80+».

Сама оперативная память представлена в виде одной планки на восемь гигабайт. Ее частота в стоке составляет 2400 мегагерц, а время задержки 17-17-17-42.

Разгон ОЗУ

Источник: https://abc-import.ru/oborudovanie/3421-razgon-operativnoj-pamjati-ddr4-instrukcija-i-procedura-razgona/